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电子元器件详细资料 » IC[311] » NVMSD6N303R2G
型号:NVMSD6N303R2G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
系列*
制造商ON Semiconductor
FET型
FET特点
漏极至源极电压(Vdss)
电流_连续漏极(Id)0a025000C
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C
Id时的Vgs(th)111最大222
闸电荷(Qg)0a0Vgs
输入电容(Ciss)0a0Vds
功率_最大
安装类型
封装/外壳
供应商设备封装
包装

供应商

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深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
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北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

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